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绍
邹世昌
邹世昌,祖籍太仓,1931年7月27日出生于上海市,材料科学家,中国科学院院士,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。
1949-1950年就读于中国纺织工学院(今东华大学)后转入唐山交通大学,1952年毕业于交通大学唐山工学院(即唐山交通大学,现西南交通大学)。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制,并担任工艺组负责人,该成果1984年获国家发明奖一等奖。
邹世昌在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路,首先建立了离子背散射沟道技术,并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为,离子注入多晶硅的激光再结晶,并研制成高CMOS器件。
邹世昌为我院题词
2007年6月,邹世昌院士出席吴健雄诞辰95周年纪念暨健雄职业技术学院新校区落成典礼,他为新校区落成题词:
传承和发扬吴健雄精神
办好职业技术学院
培养更多实用人才
——邹世昌
2007年6月10日
播音:吴钟
编辑:马雯洁
责编:樊凡
审核:丁锴
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