什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍

1、表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

2、介绍：表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

3、1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。

以上就是高考网小编为大家介绍的关于什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍问题，想要了解的更多关于《什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍》相关文章，请继续关注高考网！